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IRL3102SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRL3102SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 61A, 15 MOHM, 38.7 NC QG, LOGIC LEVEL, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRL3102SPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK 型号:IRL3102SPBF 仓库库存编号:IRL3102SPBF-ND 别名:*IRL3102SPBF <br>SP001576532 <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRL3102SPbF |
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产品相片 | TO-263 |
设计资源 | IRL3102S Saber Model IRL3102S Spice Model |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 61A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 13 毫欧 @ 37A,7V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 58nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2500pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 89W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRL3102SPBF |