数据列表 | IRG(B,S,SL)4B60KD1PbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V,4A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 11A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 22A |
功率 - 最大值 | 63W |
Switching Energy | 120µJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 12nC |
Td (on/off) A 25°C | 22ns/100ns |
Test Condition | 400V, 4A, 100 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 93ns |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | D2PAK |