数据列表 | IRGIB10B60KD1P IRGIB10B60KD1 |
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产品相片 | TO-220AB |
产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.1V @ 15V,10A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 16A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 32A |
功率 - 最大值 | 44W |
Switching Energy | 321µJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 41nC |
Td (on/off) A 25°C | 25ns/180ns |
Test Condition | 400V, 10A, 50 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 79ns |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
产品目录页面 | 1517 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | *IRGIB10B60KD1P |