数据列表 | IRG7S319UPbF |
---|---|
产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | 沟道 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 330V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.43V @ 15V,20A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 45A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
功率 - 最大值 | 96W |
Switching Energy | - |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 38nC |
Td (on/off) A 25°C | 16ns/81ns |
Test Condition | 196V, 25A, 10 欧姆 |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | D2PAK |