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Vishay Intertechnologies

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50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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Vishay Siliconix - IRFZ44STRR - MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK

型号:IRFZ44STRR
仓库库存编号:IRFZ44STRR-ND

含铅
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Vishay Siliconix - IRFZ44STRRPBF - MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK

型号:IRFZ44STRRPBF
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别名:IRFZ44STRRPBFCT <br>

无铅
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IRFZ44STRR|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFZ44STRR
制造商型号: IRFZ44STRR
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRFZ44S/L
产品相片 TO-263
产品目录绘图 IR(F,L,Z) Series Side 1
IR(F,L,Z) Series Side 2
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)50A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)28 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1900pF @ 25V
功率 - 最大值3.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

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