| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRFZ34NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 55V, 29A, D2-PAK
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.04Ohm, ID 29A, D2Pak, PD 68W, VGS +/-20V, Qg 34 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFZ34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 29A, 68W, D2PAK, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFZ34NSPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，55V，29A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFZ34NSPBF | 8650209 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V  (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRFZ34NSPBF 品牌： Infineon 库存编号： 543-0103 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 55 V 29 A 68 W D2PAK, IRFZ34NSPBF, IR 型号：IRFZ34NSPBF 仓库库存编号：171-17-526 | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFZ34NSPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，55V，29A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFZ34NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRFZ34NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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| IRFZ34NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| IRFZ34NSPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，55V，29A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 31 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 700 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3.8 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.04 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 29 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
