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| IRFU3418PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK 详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） IPAK（TO-251） 型号：IRFU3418PBF 仓库库存编号：IRFU3418PBF-ND 别名：*IRFU3418PBF <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFR3418PbF, IRFU3418PbF |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 设计资源 | IRFR3418PBF Saber Model IRFR3418PBF Spice Model |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 70A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 14 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3510pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRFU3418PBF |
