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IRFU220BTU-AM002 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRFU220BTU-AM002 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFU220BTU_AM002 [更多] | ON Semiconductor | N-CH/200V/4.6A/0.8OHM/SUBSTITUTE OF IRFU220TU & IRFU220ATU - Rail/Tube (Alt: IRFU220BTU-AM002) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFU220BTU_AM002 [更多] | ON Semiconductor | N-CH/200V/4.6A/0.8OHM/SUBSTITU
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IRFU220BTU_AM002 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK 详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak 型号:IRFU220BTU_AM002 仓库库存编号:IRFU220BTU_AM002-ND | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRF(R,U)220B |
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产品相片 | DPAK_369D?01 |
标准包装 | 70 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.6A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 800 毫欧 @ 2.3A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 390pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |