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| IRFSL4310ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 120A TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFSL4310ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFSL4310ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFSL4310ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IRFSL4310ZPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFSL4310ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: IRFSL4310ZPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFSL4310ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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| IRFSL4310ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 100V, 127A, 6 MOHM, 120 NC QG, TO-262 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFSL4310ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 120A TO-262 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262 型号：IRFSL4310ZPBF 仓库库存编号：IRFSL4310ZPBF-ND 别名：SP001557618 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRF(B,S,SL)4310ZPBF |
|---|---|
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 120A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6860pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 产品目录页面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
