型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFSL23N15D | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | 查看库存、价格及货期 |
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262 型号:IRFSL23N15D 仓库库存编号:IRFSL23N15D-ND 别名:*IRFSL23N15D | 含铅 | 搜索 | |
Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262 型号:IRFSL23N15DPBF 仓库库存编号:IRFSL23N15DPBF-ND 别名:*IRFSL23N15DPBF | 无铅 | 搜索 |
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IRFSL23N15DPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | 查价格库存 查看详细 |
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数据列表 | IRFB23N15D, IRFS(L)23N15D |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 23A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 90 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRFSL23N15D |