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Infineon Technologies - IRFSL23N15D - MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262

详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262

型号:IRFSL23N15D
仓库库存编号:IRFSL23N15D-ND
别名:*IRFSL23N15D
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Infineon Technologies - IRFSL23N15DPBF - MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262

详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262

型号:IRFSL23N15DPBF
仓库库存编号:IRFSL23N15DPBF-ND
别名:*IRFSL23N15DPBF
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IRFSL23N15D
制造商型号: IRFSL23N15D
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRFB23N15D, IRFS(L)23N15D
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)23A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)90 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1200pF @ 25V
功率 - 最大值3.8W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装TO-262
其它名称*IRFSL23N15D

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