IRFS4620PB,IRFS4620PB|International Rectifier-IRFS4620PB原装现货,PDF下载
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

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Infineon Technologies AG

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC

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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRFS4620PBF)

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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRFS4620PBF)

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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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MOSFET, N-CH 200V 24A D2PAK

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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 200 V 77.5 mOhm 25 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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Infineon Technologies AG

IRFS4620PBF N-channel MOSFET Transistor, 24 A, 200 V, 3-Pin D2PAK

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 24A, 144W, D2PAK, HEXFET?

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Infineon - IRFS4620PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4620PBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRFS4620PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7112
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IR - IRFS4620PBF - MOSFET N, 200 V 24 A 144 W D2PAK, IRFS4620PBF, IR
IR
MOSFET N, 200 V 24 A 144 W D2PAK, IRFS4620PBF, IR


型号:IRFS4620PBF
仓库库存编号:171-02-351

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IRFS4620PBF
INFINEON IRFS4620PBF
1698296

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 0.0637 ohm, 10 V, 5 V

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International Rectifier
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IRFS4620PB
制造商型号: IRFS4620PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,200V,24A,HEXFET,D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间25.4 ns
典型接通延迟时间13.4 ns
典型栅极电荷@Vgs25 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1710 pF V @ 50
安装类型表面贴装
宽度9.65mm
封装类型D2PAK
尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散144000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压200 V
最大漏源电阻值0.078 Ω
最大连续漏极电流24 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.67mm
高度4.83mm

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