IRFS4310PB,IRFS4310PB|International Rectifier-IRFS4310PB原装现货,PDF下载
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IRFS4310PBF
库存编号:IRFS4310PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK0
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IRFS4310PBF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 100V, 0.007OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB64
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IRFS4310PBF
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MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC

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IRFS4310PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IRFS4310PBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 5.6 Milliohms, ID 130A, D2Pak, PD 300W, VF 1.3V

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IRFS4310PBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 140A, 330W, D2PAK, HEXFET?

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无图IRFS4310PB
International Rectifier		MOSFET，N沟道，100V，130A，D2PAK
Rohs

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IRFS4310PBF|International RectifierIRFS4310PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
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International Rectifier		MOSFET，N沟道，100V，130A，D2PAK
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IRFS4310PBF|International RectifierIRFS4310PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFS4310PBF
INFINEON IRFS4310PBF		1611486

INFINEON

晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 140 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFS4310PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRFS4310PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
650-4889
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

International Rectifier - IRFS4310PBF - VF 1.3V PD 300W D2Pak ID 130A RDS(ON) 5.6 Milliohms VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70017258 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 5.6 Milliohms; ID 130A; D2Pak; PD 300W; VF 1.3V

型号：IRFS4310PBF
仓库库存编号：70017258

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无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFS4310PB
制造商型号： IRFS4310PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，100V，130A，D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间68 ns
典型接通延迟时间26 ns
典型栅极电荷@Vgs170 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds7670 pF V @ 50
安装类型表面贴装
宽度9.65mm
封装类型D2PAK
尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散300000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.007 Ω
最大连续漏极电流130 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置单
长度10.67mm
高度4.83mm

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