型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFS31N20DTRRP [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFS31N20DTRRP [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFS31N20DTRRP [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.082Ohm, ID 31A, D2Pak, PD 200W, VGS +/-30V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFS31N20DTRRP | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
IRFS31N20DTRRP International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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IRFS31N20DTRRP International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
数据列表 | IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFB31N20DPBF Saber Model IRFB31N20DPBF Spice Model |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 31A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 82 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2370pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |