数据列表 | IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFB31N20DPBF Saber Model IRFB31N20DPBF Spice Model |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 31A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 82 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 107nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2370pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRFS31N20DPBF |