| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220TRPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IRFR9220TRPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IRFR9220TRPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: IRFR9220PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK (Alt: IRFR9220PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, P, -200V, -3.6A, D-PAK
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single P-Channel 200 V 1.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -200V, RDS(ON) 1.5 Ohms, ID -3.6A, TO-252AA, PD 42W, VGS +/-2 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: DPAK Polarity: P Power dissipation: 42 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR9220PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Transistor: P-MOSFET, unipolar, -200V, -2.3A, 42W, DPAK
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFR9220PB | Vishay | MOSFET，P沟道，200V，3.6A，DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFR9220PBF. | 8649901 | VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.6 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V  (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRFR9220PBF 品牌： Vishay 库存编号： 540-9698 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFR9220PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFR9220PB Vishay | MOSFET，P沟道，200V，3.6A，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFR9220PBF VISHAY | 单 P 沟道 200 V 1.5 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Vishay PCS MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -200V; RDS(ON) 1.5 Ohms; ID -3.6A; TO-252AA; PD 42W; VGS +/-2 型号：IRFR9220PBF 仓库库存编号：70078966 |  | 搜索 |
| Siliconix / Vishay MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 型号：IRFR9220PBF 仓库库存编号：70459490 | | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Vishay MOSFET P, -200 V -3.6 A 42 W DPAK, IRFR9220PBF, Vishay 型号：IRFR9220PBF 仓库库存编号：171-15-211 | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRFR9220PBF VISHAY | 单 P 沟道 200 V 1.5 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFR9220PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFR9220PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET P D-PAK -200V -3.6A | 查价格库存 查看详细 |
| IRFR9220PB Vishay | MOSFET，P沟道，200V，3.6A，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 7.3 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 340 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm |
