IRFR9210TRPBF,IRFR9210TRPBF|VISHAY-IRFR9210TRPBF原装现货,PDF下载
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

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MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp

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MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp

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Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFR9210TRPBF)

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Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, P CH, -200V, 3OHM, -1.9A, TO-252

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MOSFET, P CHANNEL, -200V, -1.9A, TO-252-

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Single P-Channel 200 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

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IRFR9210TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 200 V, 3-Pin TO-252

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IRFR9210TRPBF
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MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp

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IRFR9210TRPBF VISHAY 单 P 沟道 200 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252 查看库存、价格及货期
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Siliconix / Vishay - IRFR9210TRPBF - 3-Pin TO-252 200 V 1.9 A IRFR9210TRPBF P-channel MOSFET Transistor|70615852 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
IRFR9210TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 200 V, 3-Pin TO-252


型号:IRFR9210TRPBF
仓库库存编号:70615852

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Vishay Siliconix - IRFR9210TRPBF - MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak

型号:IRFR9210TRPBF
仓库库存编号:IRFR9210PBFCT-ND
别名:*IRFR9210TRPBF
IRFR9210PBFCT
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IRFR9210TRPBF|VISHAYIRFR9210TRPBF
VISHAY
单 P 沟道 200 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
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IRFR9210TRPBF|Vishay SiliconixIRFR9210TRPBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
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Vishay - IRFR9210TRPBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9210TRPBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
IRFR9210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0657
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFR9210TRPBF
VISHAY IRFR9210TRPBF
2335259

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V

(EN)
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IRFR9210TRPBF
VISHAY IRFR9210TRPBF
2458550

VISHAY

MOSFET, P CHANNEL, -200V, -1.9A, TO-252-3

(EN)
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VISHAY
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IRFR9210TRPBF|VISHAY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFR9210TRPBF
制造商型号: IRFR9210TRPBF
制造商: VISHAY
描述: 单 P 沟道 200 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 3 Ω
  • Qg Gate Charge: 8.9 nC
  • Rated Power Dissipation: 25 W

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