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IRFR9120TRPBF [更多]	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索查看资料
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MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp

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MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp

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Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR9120TRPBF [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant	搜索
IRFR9120TRPBF [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant	搜索
IRFR9120TRPBF [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant	搜索

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MOSFET, P CHANNEL, -100V, -5.6A, TO-252-

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MOSFET, P CH, -100V, -5.6A, TO-252AA

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Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

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Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

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Vishay Siliconix

IRFR9120TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-252

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MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp

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自家仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	库存	起订量	参考单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRFR9120TRPBF	VISHAY	单 P 沟道 100 V 0.6 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - TO-252	查看库存、价格及货期

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
IRFR9120TRPBF	2458549	VISHAY MOSFET, P CHANNEL, -100V, -5.6A, TO-252-3 (EN)	搜索
IRFR9120TRPBF	2335258	VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V (EN)	搜索

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak 型号：IRFR9120TRPBF 仓库库存编号：IRFR9120PBFCT-ND 别名：*IRFR9120TRPBF IRFR9120PBFCT	无铅	搜索

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	IRFR9120TRPBF VISHAY	单 P 沟道 100 V 0.6 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - TO-252	查价格库存查看详细

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参考图片	制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号	PDF	操作
	Siliconix / Vishay IRFR9120TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-252 型号：IRFR9120TRPBF 仓库库存编号：70615849		搜索

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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9120TRPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
IRFR9120TRPBF
品牌：
Vishay
库存编号：
812-0648

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	IRFR9120TRPBF VISHAY	单 P 沟道 100 V 0.6 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - TO-252	查价格库存查看详细
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFR9120TRPBF
制造商型号： IRFR9120TRPBF
制造商： VISHAY
描述： 单 P 沟道 100 V 0.6 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - TO-252
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产品信息

Channel Type: P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100 V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.6 Ω
Qg Gate Charge: 18 nC
Rated Power Dissipation: 42 W

手机网站相关详细信息：IRFR9120TRPBF
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