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| IRFR4105ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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IRFR4105ZPBF | 1013387 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 24.5 mohm, 10 V, 4 V  (EN) | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 55 V 21 A 48 W DPAK, IRFR4105ZPBF, IR 型号：IRFR4105ZPBF 仓库库存编号：171-38-605 | | 搜索 |
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 | IRFR4105ZPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： IRFR4105ZPBF 品牌： Infineon 库存编号： 650-4407 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFR4105ZPbF, IRFU4105ZPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFR4105Z Saber Model IRFR4105Z Spice Model |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 24.5 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 740pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 48W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
