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| IRFR3707TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFR3707TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 9.7Milliohms, ID 61A, D-Pak (TO-252AA), PD 87W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFR3707TR | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 61A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak 型号：IRFR3707TR 仓库库存编号：IRFR3707TR-ND |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF(R,U)3707 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 61A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 87W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
