数据列表 | IRF(R,U)1010ZPbF |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFR1010Z Saber Model IRFR1010Z Spice Model |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 42A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 7.5 毫欧 @ 42A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 95nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2840pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 140W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | *IRFR1010ZPBF |