IRFP4668PBF,IRFP4668PBF|International Rectifier代理分销-IRFP4668PBF原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRFP4668PBF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFP4668PBF Saber Model IRFP4668PBF Spice Model |
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 130A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 9.7 毫欧 @ 81A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 241nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 10720pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 520W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 产品目录页面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
