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Vishay Siliconix - IRFP360PBF - MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC

详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3

型号:IRFP360PBF
仓库库存编号:IRFP360PBF-ND
别名:*IRFP360PBF
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IRFP360PBF
VISHAY IRFP360PBF
8649359

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

(EN)
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IRFP360PBF
INFINEON IRFP360PBF
1653668

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

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无图IRFP360PB
Vishay
MOSFET,N沟道,400V,23A,TO247AC
Rohs

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IRFP360PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRFP360PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N
Rohs

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无图IRFP360PBF.
INTERNATIONAL RECTIFIER
原厂原装货
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Vishay PCS - IRFP360PBF - VGS +/-20V PD 280W TO-247AC ID 23A RDS(ON) 0.2Ohm VDSS 400V N-Ch MOSFET, Power|70078937 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 400V; RDS(ON) 0.2Ohm; ID 23A; TO-247AC; PD 280W; VGS +/-20V


型号:IRFP360PBF
仓库库存编号:70078937

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Vishay PCS - IRFP360PBF - VGS +/-20V PD 280W TO-247AC ID 23A RDS(ON) 0.2Ohm VDSS 400V N-Ch MOSFET, Power|70078937 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 400V; RDS(ON) 0.2Ohm; ID 23A; TO-247AC; PD 280W; VGS +/-20V


型号:IRFP360PBF
仓库库存编号:70078937

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Vishay - IRFP360PBF - MOSFET N, 400 V 23 A 280 W TO-247, IRFP360PBF, Vishay
Vishay
MOSFET N, 400 V 23 A 280 W TO-247, IRFP360PBF, Vishay


型号:IRFP360PBF
仓库库存编号:171-16-858

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IRFP360PBF|Vishay SiliconixIRFP360PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
Rohs

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IRFP360PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRFP360PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N
Rohs

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IRFP360PBF|VISHAYIRFP360PBF
VISHAY
单 N 沟道 400 V 0.2 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-247AC
Rohs

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IRFP360PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFP360PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N TO-247AC 400V 23A
Rohs

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无图IRFP360PB
Vishay
MOSFET,N沟道,400V,23A,TO247AC
Rohs

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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFP360PB
制造商型号: IRFP360PB
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,400V,23A,TO247AC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间100 ns
典型接通延迟时间18 ns
典型栅极电荷@Vgs210 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds4500 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度5.31mm
封装类型TO-247AC
尺寸15.87 x 5.31 x 20.7mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散280 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压400 V
最大漏源电阻值0.2 Ω
最大连续漏极电流23 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.87mm
高度20.7mm

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