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IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, SOT-223
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IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 3.7A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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IRFL4105PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W
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IRFL4105PB | International Rectifier | MOSFET,N沟道,55V,5.2A,SOT223 | 查看库存、价格及货期 |
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| 制造商零件编号: IRFL4105PBF 品牌: Infineon 库存编号: 540-9878 | 搜索 |
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![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ohm; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V 型号:IRFL4105PBF 仓库库存编号:70017599 | ![]() | 搜索 |
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IRFL4105PBF![]() | 1013496 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 55 V 3.7 A 2.1 W SOT-223, IRFL4105PBF, IR 型号:IRFL4105PBF 仓库库存编号:171-31-214 | 搜索 |
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典型关断延迟时间 | 19 ns | |
典型接通延迟时间 | 7.1 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 23 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 660 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3.7mm | |
封装类型 | SOT-223 | |
尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.1 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 55 V | |
最大漏源电阻值 | 0.045 Ω | |
最大连续漏极电流 | 5.2 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 6.7mm | |
高度 | 1.7mm |