IRFL4105PB,IRFL4105PB|International Rectifier-IRFL4105PB原装现货,PDF下载
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IRFL4105PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFL4105PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC

RoHS: Compliant

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IRFL4105PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N, SOT-223

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IRFL4105PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 3.7A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-20V

RoHS: Compliant

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IRFL4105PBF
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Infineon Technologies AG  

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IRFL4105PBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W

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IRFL4105PB International Rectifier MOSFET,N沟道,55V,5.2A,SOT223 查看库存、价格及货期
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Infineon - IRFL4105PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
IRFL4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9878
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International Rectifier - IRFL4105PBF - VGS +/-20V PD 1W SOT-223 ID 3.7A RDS(ON) 0.045Ohm VDSS 55V N-Ch MOSFET, Power|70017599 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ohm; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V


型号:IRFL4105PBF
仓库库存编号:70017599

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFL4105PBF
INFINEON IRFL4105PBF
1013496

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

(EN)
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IRFL4105PBF|International RectifierIRFL4105PBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Rohs

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IR - IRFL4105PBF - MOSFET N, 55 V 3.7 A 2.1 W SOT-223, IRFL4105PBF, IR
IR
MOSFET N, 55 V 3.7 A 2.1 W SOT-223, IRFL4105PBF, IR


型号:IRFL4105PBF
仓库库存编号:171-31-214

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无图IRFL4105PB
International Rectifier
MOSFET,N沟道,55V,5.2A,SOT223
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International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
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International Rectifier
MOSFET,N沟道,55V,5.2A,SOT223
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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFL4105PB
制造商型号: IRFL4105PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,55V,5.2A,SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间19 ns
典型接通延迟时间7.1 ns
典型栅极电荷@Vgs23 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds660 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度3.7mm
封装类型SOT-223
尺寸6.7 x 3.7 x 1.7mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2.1 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压55 V
最大漏源电阻值0.045 Ω
最大连续漏极电流5.2 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极、单
长度6.7mm
高度1.7mm

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