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MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

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Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: IRFL4105TRPBF)

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MOSFET, N, SOT-223

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MOSFET, N-CH, 55V, 5.2A, SOT-223

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Single N-Channel 55 V 0.045 Ohm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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Single N-Channel 55 V 0.045 Ohm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 3.7A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-20V

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 3.7A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-20V

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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W

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MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223

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MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223

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IRFL4105PBF
INFINEON IRFL4105PBF
1013496

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

(EN)
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Infineon Technologies - IRFL4105TR - MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223

型号:IRFL4105TR
仓库库存编号:IRFL4105CT-ND
别名:*IRFL4105TR
IRFL4105CT
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IR - IRFL4105PBF - MOSFET N, 55 V 3.7 A 2.1 W SOT-223, IRFL4105PBF, IR
IR
MOSFET N, 55 V 3.7 A 2.1 W SOT-223, IRFL4105PBF, IR


型号:IRFL4105PBF
仓库库存编号:171-31-214

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Infineon - IRFL4105PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
IRFL4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9878
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International Rectifier - IRFL4105PBF - VGS +/-20V PD 1W SOT-223 ID 3.7A RDS(ON) 0.045Ohm VDSS 55V N-Ch MOSFET, Power|70017599 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ohm; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V


型号:IRFL4105PBF
仓库库存编号:70017599

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IRFL4105|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFL4105
制造商型号: IRFL4105
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 IRFL4105
产品相片 SOT223-3L
设计资源 IRFL4105TR Saber Model
IRFL4105TR Spice Model
标准包装  80
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.7A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)45 毫欧 @ 3.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)660pF @ 25V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223
其它名称*IRFL4105

手机网站相关详细信息:IRFL4105
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