型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL4105TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRFL4105TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL4105TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFL4105TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: IRFL4105TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, SOT-223
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL4105TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 0.045 Ohm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRFL4105TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 0.045 Ohm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 3.7A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFL4105TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 3.7A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL4105PBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL4105PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFL4105 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 | 查看库存、价格及货期 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFL4105PBF![]() | 1013496 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223 型号:IRFL4105TR 仓库库存编号:IRFL4105CT-ND 别名:*IRFL4105TR IRFL4105CT | 含铅 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | IR MOSFET N, 55 V 3.7 A 2.1 W SOT-223, IRFL4105PBF, IR 型号:IRFL4105PBF 仓库库存编号:171-31-214 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRFL4105PBF 品牌: Infineon 库存编号: 540-9878 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ohm; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V 型号:IRFL4105PBF 仓库库存编号:70017599 | ![]() | 搜索 |
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数据列表 | IRFL4105 |
---|---|
产品相片 | SOT223-3L |
设计资源 | IRFL4105TR Saber Model IRFL4105TR Spice Model |
标准包装 | 80 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.7A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 45 毫欧 @ 3.7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 660pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | *IRFL4105 |