型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFIBC40 | Vishay | Transistor,MOSFET,N-channel,isolated package,IRFIBC40G | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IRFIBC40GPBF VISHAY | 单 N 沟道 600 V 1.2 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220FP![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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IRFIBC40GPBF![]() | 1351032 | VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道 ![]() | 搜索 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP 详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3 型号:IRFIBC40G 仓库库存编号:IRFIBC40G-ND 别名:*IRFIBC40G | 含铅 | 搜索 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP 详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3 型号:IRFIBC40GPBF 仓库库存编号:IRFIBC40GPBF-ND 别名:*IRFIBC40GPBF | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRFIBC40GPBF 品牌: Vishay 库存编号: 541-1332 | 搜索 |
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![]() | Vishay MOSFET N, 600 V 3.5 A 40 W TO-220FP, IRFIBC40GPBF, Vishay 型号:IRFIBC40GPBF 仓库库存编号:171-15-212 | 搜索 | |
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典型关断延迟时间 | 55 ns | |
典型接通延迟时间 | 13 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 60 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 1300 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 40000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 600 V | |
最大漏源电阻值 | 1.2 Ω | |
最大连续漏极电流 | 3.5 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
高度 | 9.8mm |