| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFI1010NPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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IRFI1010NPBF | 2580014 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V  (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRFI1010NPBF 品牌： Infineon 库存编号： 542-9579 | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP 详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包 型号：IRFI1010NPBF 仓库库存编号：IRFI1010NPBF-ND 别名：*IRFI1010NPBF SP001570872 | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRFI1010NPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFI1010NPBF Saber Model IRFI1010NPBF Spice Model |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 49A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 12 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 58W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 其它名称 | *IRFI1010NPBF |
