数据列表 | IRFHS9351PBF |
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产品相片 | 6-VDFN |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFHS9351TR2PBF Saber Model IRFHS9351TR2PBF Spice Model |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.3A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 170 毫欧 @ 3.1A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 10µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.7nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 160pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-VQFN |
供应商器件封装 | 6-PQFN(2x2) |