| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFHS8342TR2PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，8.8A，HEXFET，PQFN6EP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFHS8342TR2PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，8.8A，HEXFET，PQFN6EP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2） 型号：IRFHS8342TR2PBF 仓库库存编号：IRFHS8342TR2PBFCT-ND 别名：IRFHS8342TR2PBFCT <br> | | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 30 V 7.1 A 2.1 W PQFN-6 (2x2), IRFHS8342TR2PBF, IR 型号：IRFHS8342TR2PBF 仓库库存编号：171-01-257 | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRFHS8342TR2PBF 品牌： Infineon 库存编号： 737-7335 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 5.2 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.9 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.7 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 600 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 8.8 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双源、四漏极、单 | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 高度 | 0.95mm |
