型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R (Alt: IRFHM830TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R - Tape and Reel (Alt: IRFHM830TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R (Alt: IRFHM830TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N CH, DIODE, 30V, 40A, PQFN33
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFHM830TRPBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFHM830TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 查看库存、价格及货期 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFHM830TRPBF![]() | 1857346 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 V ![]() | 搜索 |
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数据列表 | IRFHM830PbF |
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产品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFHM830TR2PBF Saber Model IRFHM830TR2PBF Spice Model |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 21A (Ta), 40A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.8 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2155pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | PQFN(3x3) |