| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R (Alt: IRFHM830TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R - Tape and Reel (Alt: IRFHM830TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R (Alt: IRFHM830TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N CH, DIODE, 30V, 40A, PQFN33
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFHM830TRPBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFHM830TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFHM830TRPBF | 1857346 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 V  (EN) | 搜索 |
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 | IRFHM830TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFHM830PbF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFHM830TR2PBF Saber Model IRFHM830TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A （Ta）， 40A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2155pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
