IRFHM830TR2PBF,IRFHM830TR2PBF|International Rectifier代理分销-IRFHM830TR2PBF原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRFHM830PbF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
| 设计资源 | IRFHM830TR2PBF Saber Model IRFHM830TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A （Ta）， 40A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2155pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 其它名称 | IRFHM830TR2PBFCT |
