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| IRFH5302DTR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 30V FETky 100A 2.5mOhm 26nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFH5302DTR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRFH5302DTR2PBF N-channel MOSFET Transistor, 29 A, 30 V, 8-Pin PQFN RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFH5302DTR2PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，29A，HEXFET，PQFN8EP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘 型号：IRFH5302DTR2PBF 仓库库存编号：IRFH5302DTR2PBFCT-ND 别名：IRFH5302DTR2PBFCT | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRFH5302DTR2PBF 品牌： Infineon 库存编号： 725-9284 | 查看其他仓库 |
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 | IRFH5302DTR2PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，29A，HEXFET，PQFN8EP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IR MOSFET N, 30 V 29 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5302DTR2PBF, IR 型号：IRFH5302DTR2PBF 仓库库存编号：171-11-045 | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26 nC V @ 4.5, 55 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 3635 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6mm | |
| 封装类型 | PQFN EP | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 0.81mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3600 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.003 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 29 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 0.81mm |
