IRFH5220TR2PBF,IRFH5220TR2PBF|International Rectifier代理分销-IRFH5220TR2PBF原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRFH5220PBF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.8A （Ta）， 20A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 99.9 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1380pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH5220TR2PBFCT |
