数据列表 | IRFH3702PBF |
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产品相片 | IRFH3707TR2PBF |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFH3702TR2PBF Saber Model IRFH3702TR2PBF Spice Model |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 剪切带 (CT) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 16A (Ta), 42A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 7.1 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1510pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | 8-PQFN (3x3) |
产品目录页面 | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IRFH3702TR2PBFCT |