IRFD9024PB,IRFD9024PB|Vishay-IRFD9024PB原装现货,PDF下载
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IRFD9024PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD9024PBF)

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD9024PBF)

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, P, DIL

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -60V, RDS(ON) 0.28Ohm, ID -1.6A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-20V

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -60V, -1.1A, 1.3W, DIP4

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IRFD9024PB Vishay MOSFET,P沟道,60V,1.6A,HVMDIP4 查看库存、价格及货期
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无图IRFD9024PB
Vishay
MOSFET,P沟道,60V,1.6A,HVMDIP4
Rohs

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IRFD9024PBF|VISHAYIRFD9024PBF
VISHAY
单 P 沟道 60 V 0.28 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
Rohs

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Vishay Siliconix - IRFD9024PBF - MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

详细描述:通孔 P 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:IRFD9024PBF-ND
别名:*IRFD9024PBF <br>

无铅
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Vishay - IRFD9024PBF - MOSFET P, -60 V -1.6 A 1.3 W HEXDIP, IRFD9024PBF, Vishay
Vishay
MOSFET P, -60 V -1.6 A 1.3 W HEXDIP, IRFD9024PBF, Vishay


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:171-15-243

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  英国2号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Vishay PCS - IRFD9024PBF - VGS +/-20V PD 1.3W HD-1 ID -1.6A RDS(ON) 0.28Ohm VDSS -60V P-Ch MOSFET, Power|70078898 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 0.28Ohm; ID -1.6A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:70078898

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Siliconix / Vishay - IRFD9024PBF - MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP|70459448 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:70459448

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Vishay PCS - IRFD9024PBF - VGS +/-20V PD 1.3W HD-1 ID -1.6A RDS(ON) 0.28Ohm VDSS -60V P-Ch MOSFET, Power|70078898 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 0.28Ohm; ID -1.6A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:70078898

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  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFD9024PBF.
VISHAY IRFD9024PBF.
9103228

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V

(EN)
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  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFD9024PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0547
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Vishay - IRFD9024PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4491
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFD9024PBF|Vishay SiliconixIRFD9024PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
Rohs

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无图IRFD9024PB
Vishay
MOSFET,P沟道,60V,1.6A,HVMDIP4
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无图IRFD9024PBF
VISHAY
单 P 沟道 60 V 0.28 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
Rohs

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IRFD9024PBF|Vishay SemiconductorsIRFD9024PBF
Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
Rohs

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IRFD9024PBF|Vishay SiliconixIRFD9024PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
Rohs

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IRFD9024PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFD9024PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET P DIL
Rohs

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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFD9024PB
制造商型号: IRFD9024PB
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,60V,1.6A,HVMDIP4
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间15 ns
典型接通延迟时间13 ns
典型栅极电荷@Vgs19 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds570 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度6.29mm
封装类型HexDIP,HVMDIP
尺寸5 x 6.29 x 3.37mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.3 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.28 Ω
最大连续漏极电流1.6 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置双漏极、单
长度5mm
高度3.37mm

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