| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFD9014PB | Vishay | MOSFET，P沟道，60V，1.1A，HVMDIP4 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFD9014PB Vishay | MOSFET，P沟道，60V，1.1A，HVMDIP4 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFD9014PBF VISHAY | 单 P 沟道 60 V 0.5 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFD9014PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRFD9014PBF VISHAY | 单 P 沟道 60 V 0.5 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4 | 查价格库存 查看详细 |
| IRFD9014PBF Vishay Semiconductors | MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFD9014PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRFD9014PB Vishay | MOSFET，P沟道，60V，1.1A，HVMDIP4 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP 详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP 型号：IRFD9014PBF 仓库库存编号：IRFD9014PBF-ND 别名：*IRFD9014PBF <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFD9014PBF | 1350865 | VISHAY 场效应管, MOSFET, P沟道 (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Vishay PCS MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 0.5Ohm; ID -1.1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V; -55 型号：IRFD9014PBF 仓库库存编号：70079055 |  | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRFD9014PBF 品牌： Vishay 库存编号： 541-0733 | 搜索 |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 常闭 V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 6.29mm | |
| 封装类型 | HexDIP，HVMDIP | |
| 尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω0.5 | |
| 最大连续漏极电流 | 1.1 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 3.37mm |
