型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFD420 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP 详细描述:通孔 N 沟道 500V 370mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP 型号:IRFD420 仓库库存编号:IRFD420-ND 别名:*IRFD420 | 含铅 | 搜索 |
![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP 详细描述:通孔 N 沟道 370mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP 型号:IRFD420PBF 仓库库存编号:IRFD420PBF-ND 别名:*IRFD420PBF | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFD420PBF![]() | 2646352 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 370 mA, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | Vishay PCS MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 500V; RDS(ON) 3 Ohms; ID 0.37A; HD-1; PD 1W; VGS +/-20V; Qg 24 型号:IRFD420PBF 仓库库存编号:70078896 | ![]() | 搜索 |
数据列表 | IRFD420 |
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产品相片 | IRFD9010PBF |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 370mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3 欧姆 @ 220mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 360pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD420 |