型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD224PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD224PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD224PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD224PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD224PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD224PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFD224 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP 详细描述:通孔 N 沟道 250V 630mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP 型号:IRFD224 仓库库存编号:IRFD224-ND 别名:*IRFD224 | 含铅 | 搜索 |
![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP 详细描述:通孔 N 沟道 250V 630mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP 型号:IRFD224PBF 仓库库存编号:IRFD224PBF-ND 别名:*IRFD224PBF | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRFD224 |
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产品相片 | IRFD9010PBF |
标准包装 | 100 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 630mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.1 欧姆 @ 380mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 260pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD224 |