| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD024PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP (Alt: IRFD024PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N, DIL
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID 2.5A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-20V, Qg 25 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: HEXDIP Polarity: N Power dissipation: 2 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFD024PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 1.8A, 1.3W, DIP4
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFD024PB | Vishay | MOSFET，N沟道，60V，2.5A，HVMDIP4 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFD024PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP 详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP 型号：IRFD024PBF 仓库库存编号：IRFD024PBF-ND 别名：*IRFD024PBF <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFD024PBF | 9102345 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRFD024PBF 品牌： Vishay 库存编号： 541-0525 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Vishay MOSFET N, 60 V 2.4 A 2 W HEXDIP, IRFD024PBF, Vishay 型号：IRFD024PBF 仓库库存编号：171-15-242 | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFD 024PBF Vishay BC Components | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRFD024PB Vishay | MOSFET，N沟道，60V，2.5A，HVMDIP4 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFD024PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.1 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRFD024PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.1 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4 | 查价格库存 查看详细 |
| IRFD024PBF Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRFD024PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFD024PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N DIL | 查价格库存 查看详细 |
| IRFD024PB Vishay | MOSFET，N沟道，60V，2.5A，HVMDIP4 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 640 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 6.29mm | |
| 封装类型 | HexDIP，HVMDIP | |
| 尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.1 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 3.37mm |
