型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP (Alt: IRFD014PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD014PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N, DIL
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.2Ohm, ID 1.7A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-20V, Qg 11 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: HEXDIP Polarity: N Power dissipation: 1.3 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFD014PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 1.2A, 1.3W, DIP4
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFD014PB | Vishay | MOSFET,N沟道,60V,1.7A,HVMDIP4 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP 详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP 型号:IRFD014PBF 仓库库存编号:IRFD014PBF-ND 别名:*IRFD014PBF <br> | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRFD014PBF 品牌: Vishay 库存编号: 919-4494 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号: IRFD014PBF 品牌: Vishay 库存编号: 541-0581 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFD014PBF.![]() | 9102337 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | Vishay PCS Mosfet, N-CH; 60V; 1.7A; PDIP-4 型号:IRFD014PBF 仓库库存编号:70079028 | ![]() | 搜索 |
![]() | Siliconix / Vishay IRFD014PBF N-channel MOSFET Transistor, 1.7 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP 型号:IRFD014PBF 仓库库存编号:70459441 | ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | Vishay MOSFET N, 60 V 1.7 A 1.3 W HEXDIP, IRFD014PBF, Vishay 型号:IRFD014PBF 仓库库存编号:171-15-218 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFD014PB Vishay | MOSFET,N沟道,60V,1.7A,HVMDIP4![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRFD014PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.2 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFD014PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFD014PB Vishay | MOSFET,N沟道,60V,1.7A,HVMDIP4![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRFD014PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.2 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRFD014PBF Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRFD014PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRFD014PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N DIL![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
典型关断延迟时间 | 13 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 11 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 310 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 6.29mm | |
封装类型 | HexDIP,HVMDIP | |
尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.3 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 60 V | |
最大漏源电阻值 | 0.2 Ω | |
最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 3.37mm |