| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBF30STRR [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 查看资料 |
| IRFBF30STRLPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBF30S [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS: Not compliant | 搜索 |
| IRFBF30STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS: Not compliant | 搜索 |
| IRFBF30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBF30STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBF30STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFBF30STRLPBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBF30STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFBF30S | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFBF30SPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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| IRFBF30S Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK 型号：IRFBF30S 仓库库存编号：IRFBF30S-ND 别名：*IRFBF30S | 含铅 | 搜索 |
| Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK 型号：IRFBF30SPBF 仓库库存编号：IRFBF30SPBF-ND 别名：*IRFBF30SPBF | 无铅 | 搜索 |
| Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK 型号：IRFBF30STRL 仓库库存编号：IRFBF30STRL-ND | 含铅 | 搜索 |
| Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK 型号：IRFBF30STRR 仓库库存编号：IRFBF30STRR-ND | 含铅 | 搜索 |
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| IRFBF30S VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFBF30S, SIHFBF30S |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 900V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.7 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFBF30S |
