| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFBE30PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFBE30PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFBE30PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N, 800V, 4.1A, TO-220
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 800 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Siliconix | IRFBE30PBF N-channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 800V, RDS(ON) 3 Ohms, ID 4.1A, TO-220AB, PD 125W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 125 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBE30PBF [更多] | International Rectifier | 4.1 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFBE30PB | Vishay | MOSFET，N沟道，800V，4.1A，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Vishay MOSFET N, 800 V 4.1 A 125 W TO-220, IRFBE30PBF, Vishay 型号：IRFBE30PBF 仓库库存编号：171-15-208 |  | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRFBE30PBF 品牌： Vishay 库存编号： 541-1124 | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFBE30PBF. | 8648859 | VISHAY 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
IRFBE30PBF | 1351014 | VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道 (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFBE30PB Vishay | MOSFET，N沟道，800V，4.1A，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFBE30PBF VISHAY | 单 N 沟道 800 V 3 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| IRFBE30PBF-VI VISHAY | Original,stocking 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFBE30PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRFBE30PBF VISHAY | 单 N 沟道 800 V 3 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFBE30PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFBE30PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N TO-220 800V 4.1A | 查价格库存 查看详细 |
| IRFBE30PB Vishay | MOSFET，N沟道，800V，4.1A，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB 型号：IRFBE30PBF 仓库库存编号：IRFBE30PBF-ND 别名：*IRFBE30PBF | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 82 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 78 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 4.1 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 9.01mm |
