IRFBE30,IRFBE30|VISHAY SILICONIX代理分销-IRFBE30原装现货,PDF下载
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

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IRFBE30SPBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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IRFBE30PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

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IRFBE30STRL
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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IRFBE30STRR
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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IRFBE30STRLPBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFBE30
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MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

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IRFBE30LPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

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IRFBE30PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant

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IRFBE30STRLPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 800V 4.1A 125W

RoHS: Compliant

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IRFBE30SPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

RoHS: Compliant

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IRFBE30S
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

RoHS: Not compliant

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IRFBE30L
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

RoHS: Not compliant

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IRFBE30LPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant | pbFree: No

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IRFBE30SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

RoHS: Compliant

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IRFBE30PBF
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Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFBE30PBF)

RoHS: Not Compliant

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IRFBE30PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFBE30PBF)

RoHS: Compliant

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IRFBE30SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Tape and Reel (Alt: IRFBE30SPBF)

RoHS: Not Compliant

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IRFBE30LPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Tape and Reel (Alt: IRFBE30LPBF)

RoHS: Not Compliant

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IRFBE30STRLPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFBE30STRLPBF)

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IRFBE30SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IRFBE30LPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant

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IRFBE30LPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant

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IRFBE30SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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  新加坡2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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IRFBE30PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, N, 800V, 4.1A, TO-220

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型号 制造商 描述 操作
IRFBE30LPBF
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 800 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFBE30PBF
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 800 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFBE30SPBF
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 800 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFBE30STRLPBF
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Vishay Intertechnologies

IRFBE30S Series N-Channel 800 V 3 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-263

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFBE30PBF
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Vishay Semiconductors

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 800V, RDS(ON) 3 Ohms, ID 4.1A, TO-220AB, PD 125W, VGS +/-20V

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IRFBE30PBF
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Vishay Siliconix

IRFBE30PBF N-channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB

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型号 制造商 描述 操作
IRFBE30PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFBE30SPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFBE30LPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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型号 制造商 描述 操作
IRFBE30PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 125 W

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型号 制造商 描述 操作
IRFBE30PBF
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Vishay Intertechnologies

Transistor: N-MOSFET, unipolar, 800V, 2.6A, 125W, TO220AB

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型号 制造商 描述 操作
IRFBE30
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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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IRFBE30
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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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IRFBE30
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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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IRFBE30
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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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IRFBE30PBF
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International Rectifier

4.1 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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型号 制造商 描述 库存 起订量 参考单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFBE30 VISHAY SILICONIX MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB 查看库存、价格及货期
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFBE30|VISHAY SILICONIXIRFBE30
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
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IRFBE30L|VISHAY SILICONIXIRFBE30L
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
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IRFBE30LPBF|VISHAYIRFBE30LPBF
VISHAY
单 N 沟道 800 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-262
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无图IRFBE30PB
Vishay
MOSFET,N沟道,800V,4.1A,TO220AB
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IRFBE30PBF|VISHAYIRFBE30PBF
VISHAY
单 N 沟道 800 V 3 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
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IRFBE30S|VISHAY SILICONIXIRFBE30S
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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无图IRFBE30SPB
Vishay
MOSFET,N沟道,800V,4.1A,D2PAK
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IRFBE30SPBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRFBE30SPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N沟道 800V 4.1A D2-PAK
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IRFBE30STRL|VISHAY SILICONIXIRFBE30STRL
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRFBE30STRR|VISHAY SILICONIXIRFBE30STRR
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - IRFBE30 - MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB

型号:IRFBE30
仓库库存编号:IRFBE30-ND
别名:*IRFBE30

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Vishay Siliconix - IRFBE30L - MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK

型号:IRFBE30L
仓库库存编号:IRFBE30L-ND
别名:*IRFBE30L
含铅搜索

Vishay Siliconix - IRFBE30PBF - MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB

型号:IRFBE30PBF
仓库库存编号:IRFBE30PBF-ND
别名:*IRFBE30PBF

无铅
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Vishay Siliconix - IRFBE30SPBF - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK

型号:IRFBE30SPBF
仓库库存编号:IRFBE30SPBF-ND
别名:*IRFBE30SPBF
无铅搜索

Vishay Siliconix - IRFBE30LPBF - MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK

型号:IRFBE30LPBF
仓库库存编号:IRFBE30LPBF-ND
别名:*IRFBE30LPBF
无铅搜索

Vishay Siliconix - IRFBE30S - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK

型号:IRFBE30S
仓库库存编号:IRFBE30S-ND
别名:*IRFBE30S
含铅搜索

Vishay Siliconix - IRFBE30STRL - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK

型号:IRFBE30STRL
仓库库存编号:IRFBE30STRL-ND
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Vishay Siliconix - IRFBE30STRR - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK

型号:IRFBE30STRR
仓库库存编号:IRFBE30STRR-ND
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFBE30|Vishay SiliconixIRFBE30
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
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IRFBE30L|Vishay SiliconixIRFBE30L
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
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IRFBE30LPBF|Vishay SiliconixIRFBE30LPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Rohs

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IRFBE30PBF|Vishay SiliconixIRFBE30PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
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IRFBE30S|Vishay SiliconixIRFBE30S
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRFBE30SPBF|Vishay SiliconixIRFBE30SPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRFBE30STRL|Vishay SiliconixIRFBE30STRL
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRFBE30STRR|Vishay SiliconixIRFBE30STRR
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRFBE30LPBF
VISHAY
单 N 沟道 800 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-262
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无图IRFBE30LPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
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无图IRFBE30L
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
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无图IRFBE30PBF
VISHAY
单 N 沟道 800 V 3 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
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IRFBE30PBF|Vishay SiliconixIRFBE30PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
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IRFBE30PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFBE30PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N TO-220 800V 4.1A
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无图IRFBE30PB
Vishay
MOSFET,N沟道,800V,4.1A,TO220AB
Rohs

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IRFBE30SPBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRFBE30SPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N沟道 800V 4.1A D2-PAK
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IRFBE30SPBF|VISHAYIRFBE30SPBF
VISHAY
单 N 沟道 800 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3
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IRFBE30SPBF|Vishay SiliconixIRFBE30SPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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无图IRFBE30SPB
Vishay
MOSFET,N沟道,800V,4.1A,D2PAK
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IRFBE30STRL|Vishay SiliconixIRFBE30STRL
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFBE30PBF - Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRFBE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1124
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Vishay - IRFBE30PBF - MOSFET N, 800 V 4.1 A 125 W TO-220, IRFBE30PBF, Vishay
Vishay
MOSFET N, 800 V 4.1 A 125 W TO-220, IRFBE30PBF, Vishay


型号:IRFBE30PBF
仓库库存编号:171-15-208

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Vishay PCS - IRFBE30PBF - VGS +/-20V PD 125W TO-220AB ID 4.1A RDS(ON) 3 Ohms VDSS 800V N-Ch MOSFET, Power|70078888 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 800V; RDS(ON) 3 Ohms; ID 4.1A; TO-220AB; PD 125W; VGS +/-20V


型号:IRFBE30PBF
仓库库存编号:70078888

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Siliconix / Vishay - IRFBE30PBF - 3-Pin TO-220AB 800 V 4.1 A IRFBE30PBF N-channel MOSFET Transistor|70459438 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
IRFBE30PBF N-channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB


型号:IRFBE30PBF
仓库库存编号:70459438

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Vishay PCS - IRFBE30PBF - VGS +/-20V PD 125W TO-220AB ID 4.1A RDS(ON) 3 Ohms VDSS 800V N-Ch MOSFET, Power|70078888 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 800V; RDS(ON) 3 Ohms; ID 4.1A; TO-220AB; PD 125W; VGS +/-20V


型号:IRFBE30PBF
仓库库存编号:70078888

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFBE30PBF.
VISHAY IRFBE30PBF.
8648859

VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
搜索
IRFBE30PBF
VISHAY IRFBE30PBF
1351014

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道

(EN)
搜索
IRFBE30|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFBE30
制造商型号: IRFBE30
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IRFBE30
Packaging Information
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.1A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1300pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
其它名称*IRFBE30

手机网站相关详细信息:IRFBE30
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: IRFBE30
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IRFBE30
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业务受理时间:周一至周五(上午9:00~下午18:00),下午17:00之前的订单当日发货,17:00之后的订单次日发货(周日、节假日顺延),推荐合作货运物流:顺丰快递。快递费用:23元。

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  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
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