型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRFBE30STRL [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 查看资料 |
IRFBE30STRR [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 查看资料 |
IRFBE30STRLPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS: Not compliant | 搜索 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFBE30STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 800V 4.1A 125W RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFBE30S [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS: Not compliant | 搜索 |
IRFBE30L [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS: Not compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFBE30PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFBE30PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Tape and Reel (Alt: IRFBE30SPBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Tape and Reel (Alt: IRFBE30LPBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
IRFBE30STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFBE30STRLPBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
| 搜索 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N, 800V, 4.1A, TO-220
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 800 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 800 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 800 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRFBE30STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | IRFBE30S Series N-Channel 800 V 3 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Semiconductors | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 800V, RDS(ON) 3 Ohms, ID 4.1A, TO-220AB, PD 125W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Siliconix | IRFBE30PBF N-channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
IRFBE30SPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
IRFBE30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 125 W
| 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 800V, 2.6A, 125W, TO220AB
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFBE30 [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
| 搜索 |
IRFBE30 [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
| 搜索 |
IRFBE30 [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
| 搜索 |
IRFBE30 [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
| 搜索 |
IRFBE30PBF [更多] | International Rectifier | 4.1 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFBE30 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
IRFBE30 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30L VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30LPBF VISHAY | 单 N 沟道 800 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30PB Vishay | MOSFET,N沟道,800V,4.1A,TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30PBF VISHAY | 单 N 沟道 800 V 3 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30S VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30SPB Vishay | MOSFET,N沟道,800V,4.1A,D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30SPBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 800V 4.1A D2-PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30STRL VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30STRR VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB 型号:IRFBE30 仓库库存编号:IRFBE30-ND 别名:*IRFBE30 | 含铅 | 搜索 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK 型号:IRFBE30L 仓库库存编号:IRFBE30L-ND 别名:*IRFBE30L | 含铅 | 搜索 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB 型号:IRFBE30PBF 仓库库存编号:IRFBE30PBF-ND 别名:*IRFBE30PBF | 无铅 | 搜索 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK 型号:IRFBE30SPBF 仓库库存编号:IRFBE30SPBF-ND 别名:*IRFBE30SPBF | 无铅 | 搜索 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK 型号:IRFBE30LPBF 仓库库存编号:IRFBE30LPBF-ND 别名:*IRFBE30LPBF | 无铅 | 搜索 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK 型号:IRFBE30S 仓库库存编号:IRFBE30S-ND 别名:*IRFBE30S | 含铅 | 搜索 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK 型号:IRFBE30STRL 仓库库存编号:IRFBE30STRL-ND | 含铅 | 搜索 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK 型号:IRFBE30STRR 仓库库存编号:IRFBE30STRR-ND | 含铅 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
IRFBE30 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30L Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30LPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30S Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30SPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30STRL Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30STRR Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
IRFBE30LPBF VISHAY | 单 N 沟道 800 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30LPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30L Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30PBF VISHAY | 单 N 沟道 800 V 3 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N TO-220 800V 4.1A | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30PB Vishay | MOSFET,N沟道,800V,4.1A,TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30SPBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 800V 4.1A D2-PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30SPBF VISHAY | 单 N 沟道 800 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3 | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30SPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30SPB Vishay | MOSFET,N沟道,800V,4.1A,D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
IRFBE30STRL Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
制造商零件编号: IRFBE30PBF 品牌: Vishay 库存编号: 541-1124 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
Vishay MOSFET N, 800 V 4.1 A 125 W TO-220, IRFBE30PBF, Vishay 型号:IRFBE30PBF 仓库库存编号:171-15-208 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFBE30PBF. | 8648859 | VISHAY 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
IRFBE30PBF | 1351014 | VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道 (EN) | 搜索 |
数据列表 | IRFBE30 Packaging Information |
---|---|
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.1A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3 欧姆 @ 2.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 78nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1300pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFBE30 |