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| IRFBC30LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFBC30LPB | Vishay | HEXFET,IRFBC30LPBF | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFBC30LPB Vishay | HEXFET,IRFBC30LPBF 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFBC30LPBF VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRFBC30LPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRFBC30LPB Vishay | HEXFET,IRFBC30LPBF 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRFBC30LPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 | 查价格库存 查看详细 |
| IRFBC30LPBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 74W TO-262 | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） TO-262-3 型号：IRFBC30LPBF 仓库库存编号：IRFBC30LPBF-ND 别名：*IRFBC30LPBF <br> | | 搜索 |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 660 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | TO-262 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 74 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 |
