型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFB4615PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB 型号:IRFB4615PBF 仓库库存编号:IRFB4615PBF-ND 别名:SP001565882 | 无铅 | 搜索 |
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![]() | International Rectifier MOSFET, N Ch., 150V, 34A, 45.3 MOHM, 28NC QG, TO-220AB, Pb-Free 型号:IRFB4615PBF 仓库库存编号:70017919 | ![]() | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFB4615PBF![]() | 1688596 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V ![]() | 查看其他仓库 |
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| 制造商零件编号: IRFB4615PBF 品牌: Infineon 库存编号: 688-6967 | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 150 V 35 A 144 W TO-220, IRFB4615PBF, IR 型号:IRFB4615PBF 仓库库存编号:171-02-378 | 搜索 |
数据列表 | IRFB4615PBF |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFB4615PBF Saber Model IRFB4615PBF Spice Model |
特色产品 | 150V and 200V HEXFET? Power MOSFETs |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 39 毫欧 @ 21A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1750pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 144W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
产品目录页面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |