典型栅极电荷@Vgs | 120 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 5510 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.82mm | |
封装类型 | TO-220AB | |
尺寸 | 10.66 x 4.82 x 9.02mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -40 °C | |
最大功率耗散 | 370000 mW | |
最大栅源电压 | ±30 V | |
最大漏源电压 | 230 V | |
最大漏源电阻值 | 0.037 Ω | |
最大连续漏极电流 | 56 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.66mm | |
高度 | 9.02mm |