| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFB4019PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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IRFB4019PBF | 2127324 | INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, MOSFET, N沟道 数字音频 150V, 17A, TO-220AB  (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRFB4019PBF 品牌： Infineon 库存编号： 688-6920 | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 150 V 12 A 80 W TO-220AB, IRFB4019PBF, IR 型号：IRFB4019PBF 仓库库存编号：171-37-540 | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB 型号：IRFB4019PBF 仓库库存编号：IRFB4019PBF-ND 别名：SP001572370 | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFB4019PBF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 17A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 95 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 800pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 80W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
