IRFB31N20DPBF,IRFB31N20DPBF|International Rectifier代理分销-IRFB31N20DPBF原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFB31N20DPBF Saber Model IRFB31N20DPBF Spice Model |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 31A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 107nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRFB31N20DPBF |
