| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFB23N20D | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB 型号：IRFB23N20DPBF 仓库库存编号：IRFB23N20DPBF-ND 别名：*IRFB23N20DPBF <br>SP001564048 <br> |  | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB 型号：IRFB23N20D 仓库库存编号：IRFB23N20D-ND 别名：*IRFB23N20D <br> | | 搜索 |
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IRFB23N20DPBF | 8648743 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V (EN) | 搜索 |
IRFB23N20DPBF. | 2133264 | INFINEON 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 24A, TO-220AB (EN) | 搜索 |
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 | IRFB23N20D International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFB23N20DPB International Rectifier | ER - 200V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A TO-220AB PACKAGE 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID 24A; TO-220AB; PD 170W; VGS +/-30V 型号：IRFB23N20DPBF 仓库库存编号：70017019 |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRFB23N20DPBF 品牌： Infineon 库存编号： 865-5787 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRFB23N20D, IRFS(L)23N20D |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 24A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1960pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB23N20D |
