IRFB23N20D,IRFB23N20D|International Rectifier-IRFB23N20D原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
IRFB23N20DPBF
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MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFB23N20DPBF
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MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC

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IRFB23N20DPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB23N20DPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB23N20DPBF)

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IRFB23N20DPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB23N20DPBF)

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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB23N20DPBF)

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IRFB23N20DPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB23N20DPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB23N20DPBF
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MOSFET, N, 200V, 24A, TO-220

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IRFB23N20DPBF.
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N CH MOSFET, 200V, 24A, TO-220AB

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IRFB23N20DPBF
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Single N-Channel 200 V 100 mOhm 57 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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IRFB23N20DPBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 24A, 170W, TO220AB, HEXFET?

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IRFB23N20D International Rectifier MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB 查看库存、价格及货期
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International Rectifier - IRFB23N20DPBF - VGS +/-30V PD 170W TO-220AB ID 24A RDS(ON) 0.1Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70017019 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID 24A; TO-220AB; PD 170W; VGS +/-30V

型号：IRFB23N20DPBF
仓库库存编号：70017019

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Infineon Technologies - IRFB23N20DPBF - MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB

型号：IRFB23N20DPBF
仓库库存编号：IRFB23N20DPBF-ND
别名：*IRFB23N20DPBF <br>SP001564048 <br>

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Infineon Technologies - IRFB23N20D - MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB

型号：IRFB23N20D
仓库库存编号：IRFB23N20D-ND
别名：*IRFB23N20D <br>

含铅		搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFB23N20DPBF
INFINEON IRFB23N20DPBF		8648743

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V

 (EN)		搜索
IRFB23N20DPBF.
INFINEON IRFB23N20DPBF.		2133264

INFINEON

场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 24A, TO-220AB

 (EN)		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFB23N20DPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRFB23N20DPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
865-5787
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IRFB23N20D|International RectifierIRFB23N20D
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
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无图IRFB23N20DPB
International Rectifier		ER - 200V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A TO-220AB PACKAGE
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IRFB23N20DPBF|International RectifierIRFB23N20DPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
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IRFB23N20D|International RectifierIRFB23N20D
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
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IRFB23N20DPBF|International RectifierIRFB23N20DPBF
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IRFB23N20D|International RectifierIRFB23N20D
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
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International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
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International Rectifier		ER - 200V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A TO-220AB PACKAGE
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IRFB23N20D|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFB23N20D
制造商型号： IRFB23N20D
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 IRFB23N20D, IRFS(L)23N20D
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）24A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）100 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1960pF @ 25V
功率 - 最大值3.8W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
其它名称*IRFB23N20D

手机网站相关详细信息：IRFB23N20D
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: IRFB23N20D
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