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IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB23N20DPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB23N20DPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB23N20DPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 200V, 24A, TO-220
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IRFB23N20DPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | N CH MOSFET, 200V, 24A, TO-220AB
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IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 100 mOhm 57 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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IRFB23N20DPBF [更多] | International Rectifier |
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IRFB23N20DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 24A, 170W, TO220AB, HEXFET?
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IRFB23N20D | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID 24A; TO-220AB; PD 170W; VGS +/-30V 型号:IRFB23N20DPBF 仓库库存编号:70017019 | ![]() | 搜索 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB 型号:IRFB23N20DPBF 仓库库存编号:IRFB23N20DPBF-ND 别名:*IRFB23N20DPBF <br>SP001564048 <br> | 无铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB 型号:IRFB23N20D 仓库库存编号:IRFB23N20D-ND 别名:*IRFB23N20D <br> | 含铅 | 搜索 |
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IRFB23N20DPBF![]() | 8648743 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V ![]() | 搜索 |
IRFB23N20DPBF.![]() | 2133264 | INFINEON 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 24A, TO-220AB ![]() | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRFB23N20DPBF 品牌: Infineon 库存编号: 865-5787 | 搜索 |
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数据列表 | IRFB23N20D, IRFS(L)23N20D |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 24A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1960pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFB23N20D |