数据列表 | IRF9952PbF |
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产品相片 | 8-SOIC |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.5A,2.3A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 190pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF9952PBFTR IRF9952TRPBF-ND IRF9952TRPBFTR-ND |