型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9520NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9520NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -100V -6.8A 480mOhm 18nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9520NSPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | , MOSFET, P, -100V, 6.8A, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9520NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF9520NSPBF P-channel MOSFET Transistor, 6.8 A, 100 V, 3-Pin D2PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF9520NSPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | IRF9520NSPbF(LPbF) |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6.8A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 480 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 350pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |